Một vật liệu khác rất phù hợp cho SHG ở vùng IR trung bình là tinh thể quang học phi tuyến Gallium Selenide (GaSe).Các tinh thể GaSe kết hợp hệ số phi tuyến tính lớn, ngưỡng sát thương cao và phạm vi trong suốt rộng.Đặc tính nhân đôi tần số của GaSe được nghiên cứu ở dải bước sóng trong khoảng từ 6,0 µm đến 12,0 µm
Tinh thể GaSe có độ cứng Mohs cực thấp, khiến GaSe rất dễ vỡ và loại bỏ khả năng áp dụng xử lý cơ học hoặc lớp phủ.
GaSe phù hợp nhất cho các ứng dụng điện tử và quang học.