Các sản phẩm

tinh thể khí

Tinh thể quang học phi tuyến tính Gallium Selenide (GaSe), kết hợp hệ số phi tuyến tính lớn, ngưỡng sát thương cao và phạm vi trong suốt rộng.Nó là vật liệu rất phù hợp cho SHG ở giữa IR.
Tinh thể ZGP(ZnGeP2)

Tinh thể ZGP sở hữu hệ số phi tuyến lớn (d36=75pm/V), phạm vi trong suốt hồng ngoại rộng (0,75-12μm), độ dẫn nhiệt cao (0,35W/(cm·K)), ngưỡng sát thương tia laser cao (2-5J/cm2) và Đặc tính gia công tốt, tinh thể ZnGeP2 được mệnh danh là vua của các tinh thể quang phi tuyến hồng ngoại và vẫn là vật liệu chuyển đổi tần số tốt nhất để tạo ra tia laser hồng ngoại có thể điều chỉnh công suất cao.Chúng tôi có thể cung cấp chất lượng quang học cao và các tinh thể ZGP có đường kính lớn với hệ số hấp thụ cực thấp α < 0,05 cm-1 (ở bước sóng bơm 2,0-2,1 µm), có thể được sử dụng để tạo ra tia laser có thể điều chỉnh hồng ngoại giữa với hiệu suất cao thông qua OPO hoặc OPA quá trình.
Tinh thể AGSe(AgGaSe2)

AGSeTinh thể AgGaSe2 có các cạnh dải ở mức 0,73 và 18 µm.Phạm vi truyền hữu ích của nó (0,9–16 µm) và khả năng khớp pha rộng mang lại tiềm năng tuyệt vời cho các ứng dụng OPO khi được bơm bằng nhiều loại laser khác nhau.Đã đạt được sự điều chỉnh trong phạm vi 2,5–12 µm khi bơm bằng laser Ho:YLF ở 2,05 µm;cũng như hoạt động khớp pha không tới hạn (NCPM) trong phạm vi 1,9–5,5 µm khi bơm ở tốc độ 1,4–1,55 µm.AgGaSe2 (AgGaSe2) đã được chứng minh là tinh thể nhân đôi tần số hiệu quả cho bức xạ laser CO2 hồng ngoại.
Tinh thể AGS(AgGaS2)

AGS trong suốt từ 0,50 đến 13,2 µm.Mặc dù hệ số quang phi tuyến của nó là thấp nhất trong số các tinh thể hồng ngoại đã đề cập, nhưng viền trong suốt bước sóng ngắn cao ở 550 nm được sử dụng trong OPO được bơm bằng laser Nd:YAG;trong nhiều thí nghiệm trộn tần số khác nhau với laser nhuộm diode, Ti:Sapphire, Nd:YAG và IR bao phủ phạm vi 3–12 µm;trong các hệ thống đối phó hồng ngoại trực tiếp và SHG của laser CO2.Các tấm tinh thể AgGaS2 (AGS) mỏng phổ biến để tạo xung siêu ngắn trong dải IR trung bình bằng cách tạo tần số chênh lệch sử dụng các xung bước sóng NIR.
Tinh thể BGSe(BaGa4Se7)

Tinh thể BGSe chất lượng cao (BaGa4Se7) là chất tương tự selenide của hợp chất chalcogenide BaGa4S7, có cấu trúc trực thoi tâm được xác định vào năm 1983 và hiệu ứng IR NLO được báo cáo vào năm 2009, là tinh thể IR NLO mới được phát triển.Nó có được thông qua kỹ thuật Bridgman–Stockbarger.Tinh thể này thể hiện độ truyền qua cao trong phạm vi rộng 0,47–18 μm, ngoại trừ đỉnh hấp thụ ở khoảng 15 μm.
Tinh thể BGGSe(BaGa2GeSe6)

Tinh thể BaGa2GeSe6 có ngưỡng phá hủy quang học cao (110 MW/cm2), dải trong suốt quang phổ rộng (từ 0,5 đến 18 μm) và độ phi tuyến cao (d11 = 66 ± 15 pm/V), khiến tinh thể này rất hấp dẫn đối với chuyển đổi tần số của bức xạ laser thành (hoặc trong) dải IR giữa.