Tinh thể phi tuyến

Các phương pháp phát triển bao gồm ngang và dọc, các vật liệu này (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) đều có sẵn với kích thước và hướng tiêu chuẩn nhất định.Một số trong đó, với các đặc tính có hệ số phi tuyến lớn và kích thước độc đáo mà chúng tôi cung cấp, được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống SHG, THG và OPO, OPA hồng ngoại trung thông thường, v.v. Sản phẩm có thể được giao có hoặc không có giá đỡ Nhôm Anodized.

Tinh thể AGGS(AgGaGeS4)

Tinh thể AgGaGeS4 là một trong những tinh thể dung dịch rắn có tiềm năng cực kỳ to lớn trong số các tinh thể phi tuyến mới ngày càng phát triển.Nó thừa hưởng hệ số quang phi tuyến cao (d31=15pm/V), phạm vi truyền rộng (0,5-11,5um) và hệ số hấp thụ thấp (0,05cm-1 ở 1064nm).
Tinh thể AGGSe(AgGaGe5Se12)

AgGaGe5Se12 là một tinh thể quang học phi tuyến mới đầy hứa hẹn dành cho các laser trạng thái rắn 1um chuyển tần số sang dải phổ hồng ngoại giữa (2-12mum).
Pha lê BIBO

BiB3O6 (BIBO) là một tinh thể quang phi tuyến mới được phát triển.Nó có hệ số phi tuyến hiệu dụng lớn, ngưỡng sát thương cao và độ trơ đối với độ ẩm.Hệ số phi tuyến của nó cao gấp 3,5 – 4 lần so với LBO, cao hơn 1,5 -2 lần so với BBO.Nó là một tinh thể nhân đôi đầy hứa hẹn để tạo ra tia laser màu xanh.
Pha lê BBO

BBO là một tinh thể nhân đôi tần số tia cực tím mới.Nó là một tinh thể một trục âm, có chiết suất thông thường (no) lớn hơn chiết suất bất thường (ne).Có thể đạt được cả sự phù hợp pha loại I và loại II bằng cách điều chỉnh góc.
Tinh thể LBO

LBO (Lithium Triborate – LiB3O5) hiện là vật liệu được sử dụng phổ biến nhất cho thế hệ sóng hài thứ hai (SHG) của laser công suất cao 1064nm (thay thế cho KTP) và tạo tần số tổng (SFG) của nguồn laser 1064nm để đạt được tia UV ở bước sóng 355nm .
Pha lê KTA

Kali Titanyle Arsenate (KTiOAsO4), hay tinh thể KTA, là một tinh thể quang học phi tuyến tuyệt vời cho ứng dụng Dao động tham số quang học (OPO).Nó có hệ số quang và điện quang phi tuyến tính tốt hơn, giảm đáng kể độ hấp thụ ở vùng 2,0-5,0 µm, băng thông góc và nhiệt độ rộng, hằng số điện môi thấp.