tinh thể khí

Tinh thể quang học phi tuyến tính Gallium Selenide (GaSe), kết hợp hệ số phi tuyến tính lớn, ngưỡng sát thương cao và phạm vi trong suốt rộng.GaSe là vật liệu rất phù hợp cho SHG ở vùng IR trung bình.ĐIỆN TECHcung cấp tinh thể GaSe với kích thước lớn và chất lượng cao độc đáo.

Đặc tính nhân đôi tần số của GaSe được nghiên cứu ở dải bước sóng trong khoảng từ 6,0 µm đến 12,0 µm.GaSe đã được sử dụng thành công để tạo SHG hiệu quả cho laser CO2 (chuyển đổi lên tới 9%);đối với SHG của bức xạ xung CO, CO2 và laser DF hóa học (l = 2,36 µm);chuyển đổi ngược bức xạ laser CO và CO2 thành vùng khả kiến;tạo xung hồng ngoại thông qua việc trộn tần số khác nhau của Neodymium và laser nhuộm hồng ngoại hoặc xung laser trung tâm (F-);Sự tạo ra ánh sáng OPG trong phạm vi 3,5–18 µm;sự tạo ra bức xạ terahertz (tia T).Không thể cắt các tinh thể theo các góc khớp pha nhất định do cấu trúc vật liệu (phân cắt dọc theo mặt phẳng (001)) giới hạn các khu vực ứng dụng.
GaSe là tinh thể rất mềm và có nhiều lớp.Để sản xuất tinh thể với độ dày quy định, chúng tôi lấy khoảng trống bắt đầu dày hơn, Ví dụ: dày 1-2 mm và sau đó bắt đầu loại bỏ từng lớp cố gắng đạt đến độ dày yêu cầu trong khi vẫn giữ được độ mịn và độ phẳng bề mặt tốt.Tuy nhiên, đối với độ dày khoảng 0,2-0,3 mm trở xuống tấm GaSe dễ uốn cong và chúng ta thu được bề mặt cong thay vì bề mặt phẳng.
Vì vậy, chúng tôi thường giữ độ dày 0,2 mm đối với tinh thể 10x10 mm được gắn trong giá đỡ dia.1'' với đường kính mở CA.9-9,5 mm.
Đôi khi chúng tôi chấp nhận đơn đặt hàng cho những tinh thể 0,1 mm, tuy nhiên, chúng tôi không đảm bảo độ phẳng tốt cho những tinh thể quá mỏng.
Ứng dụng của tinh thể GaSe:
• Sự tạo ra bức xạ THz (tia T);
• Phạm vi THz: 0,1-4 THz;
• SHG hiệu quả của laser CO 2 (chuyển đổi lên tới 9%);
• Đối với SHG của bức xạ xung CO, CO2 và laser DF hóa học (l = 2,36 mkm);
• Chuyển đổi bức xạ laser CO và CO2 thành vùng khả kiến;tạo xung hồng ngoại thông qua việc trộn tần số khác nhau của Neodymium và laser nhuộm hồng ngoại hoặc xung laser trung tâm (F-);
• Thế hệ ánh sáng OPG trong phạm vi 3,5 - 18 mkm.
SHG trong vùng hồng ngoại trung bình (CO2, CO, laser DF hóa học, v.v.)
chuyển đổi ngược bức xạ laser hồng ngoại thành phạm vi khả kiến
Tạo tham số trong vòng 3 – 20 µm
Tính chất chính của tinh thể GaSe:
Phạm vi độ trong suốt, µm 0,62 - 20
Nhóm điểm 6m2
Tham số mạng a = 3,74, c = 15,89 Å
Mật độ, g/cm3 5,03
Độ cứng Mohs 2
Chỉ số khúc xạ:
tại 5,3 µm no= 2,7233, ne= 2,3966
tại 10,6 µm no= 2,6975, ne= 2,3745
Hệ số phi tuyến, pm/V d22 = 54
Bước đi 4,1° ở 5,3 µm
Ngưỡng hư hại quang học, MW/cm2 28 (9,3 µm, 150 ns);0,5 (10,6 µm, ở chế độ CW);30 (1,064 µm, 10 ns)